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產(chǎn)品系列

首頁(yè)各類(lèi)時(shí)計產(chǎn)品32.768K晶體,MC-206晶振,愛(ài)普生原裝正品,MC-206 32.7680KA-A3:PURE SN

    32.768K晶體,MC-206晶振,愛(ài)普生原裝正品,MC-206 32.7680KA-A3:PURE SN

  • 編號:12768438
  • 頻率:32.768KHZ
  • 尺寸:7.3mm*4.1mm詳細瀏覽PDF文檔
  • RoHS
  • RoHS2
32.768K晶體,MC-206晶振,"MC-206 32.7680KA-A3:PURE SN"愛(ài)普生原裝正品,貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,...

       32.768K晶體,MC-206晶振,愛(ài)普生原裝正品,"MC-206 32.7680KA-A3:PURE SN",小體積SMD時(shí)鐘晶體諧振器,是貼片晶振音叉晶體,千赫頻率元件,應用于時(shí)鐘模塊,智能手機,全球定位系統,因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應用于高性能自動(dòng)貼片焊接,被廣泛應用到各種小巧的便攜式消費電子數碼時(shí)間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無(wú)鉛標準.

晶振項目 符號 晶振規格MC-206 條件
額定頻率范圍 f_nom 32.768kHz 32kHz  100kHz 請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息。
儲存溫度 T_stg -55°C  +125°C 裸存
工作溫度 T_use -40°C  +85°C  
激勵功率 DL 1.0μW Max. 工作激勵功率0.5μW Max.
頻率公差
(標準)
f_tol ± 20 × 10-6,
± 50 × 10-6
± 50 × 10-6,
± 100 × 10-6
+25°C,
DL=0.1μW
拐點(diǎn)溫度 Ti +25°C ±5°C  
頻率溫度系數 B -0.04 × 10-6/ °C2 Max.  
負載電容 CL 7pF, 9pF, 12.5pF 可指定
串聯(lián)電阻(ESR R1 65kΩ Max. 65kΩ  25kΩ  
串聯(lián)電容 C1 1.9fF Typ. 2.5fF  0.6fF  
分路電容 C0 0.8pF Typ. 1.2pF  0.5pF  
頻率老化 f_age ±3 ×10-6 / year Max. ±5 ×10-6 / year Max. +25°C,
第一年




  
  "MC-206 32.7680KA-A3:PURE SN",  愛(ài)普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,(32.768KHZ)系列出名,目前愛(ài)普生品牌遍布全世界,而千赫茲的晶體應用范圍也比較廣闊,所有的時(shí)記產(chǎn)品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產(chǎn)品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域.是對應陶瓷諧振器(偏差大)和通常的石英晶體諧振器(偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性?xún)r(jià)比出色的產(chǎn)品.最適用于HDD, SSD, USB數碼產(chǎn)品,播放器、數碼相機、筆記本電腦、移動(dòng)電話(huà)等.等用途.產(chǎn)品符合無(wú)鉛焊接的回流焊曲線(xiàn)特性.
     愛(ài)普生株式會(huì )社愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng),(EPSON — TOYOCOM)1942年成立時(shí)是精工集團的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛(ài)普生公司到后續的生產(chǎn)壓電石英晶體,1996年2月在中國蘇州投資建廠(chǎng),在當時(shí)員工人數就達2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現已經(jīng)是世界500強企業(yè).
愛(ài)普生晶振熱門(mén)型號:石英晶振,石英晶體諧振器,貼片晶振,精工晶振,陶瓷霧化片
音叉型石英晶體:FC-135、FC-255、MC-306、MC-146、MC-406、C-002RX
  "MC-206 32.7680KA-A3:PURE SN",  一般來(lái)說(shuō),微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組. (請參閱芯片組的規格)
Rf為具有200KΩ~1MΩ反饋電阻.它的內置芯片一般設置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ~.這個(gè)阻力是沒(méi)有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.
一個(gè)穩定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是晶體阻力的至少五倍.它可寫(xiě)為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時(shí)的晶體的電阻值是40Ω.負阻“的標準來(lái)評估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會(huì )產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說(shuō)明:
線(xiàn)路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)
(2)從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調整R的值.
(3)振蕩期間測量R的值.
(4)你將能夠獲得負電阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶體的阻力.
附:所連接的電路的雜散電容,可能會(huì )影響測定值.
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