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產(chǎn)品系列

首頁進(jìn)口晶振KDS晶振DSX211G陶瓷貼片晶體,KDS晶振,1ZZCAA26000AB0A晶振

    DSX211G陶瓷貼片晶體,KDS晶振,1ZZCAA26000AB0A晶振

  • 編號：38624938
  • 頻率：26MHZ
  • 尺寸：2.0*1.6mm
  • RoHS
  • RoHS2
DSX211G陶瓷貼片晶體,KDS晶振,1ZZCAA26000AB0A晶振，貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型,薄型是對應(yīng)陶瓷振蕩器(偏差大)和普...

      DSX211G陶瓷貼片晶體,KDS晶振,1ZZCAA26000AB0A晶振，貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型,薄型是對應(yīng)陶瓷振蕩器(偏差大)和普通的石英晶體振蕩器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

項目   型名 DSX211G
周波數(shù)範(fàn)囲    26MHz      
オーバトーン次數(shù)   Fundamental
負(fù)荷容量   9pF
勵振レベル   10μW（100μW max.）
周波數(shù)許容偏差   ±10×10−6  （at 25℃）
直列抵抗   200Ω max. 150Ω max. 120Ω max. 80Ω max.
周波數(shù)溫度特性   ±20×10−6  (−40 ~＋85℃)
保存溫度範(fàn)囲   −40 ~＋85℃
梱包単位 (1)   3000pcs./reel（φ180）



     DSX211G陶瓷貼片晶體,KDS晶振,1ZZCAA26000AB0A晶振，自1959年成立以來,我們在大真空KDS晶振總是確保全球消費者的信任通過提供產(chǎn)品滿足需要投身于更大的復(fù)雜性,在我們的“依賴”的三個哲學(xué):“可靠的人”“可靠的產(chǎn)品,”和“可靠的公司.“作為一個全球石英晶振設(shè)備制造商,我們努力幫助實現(xiàn)新一代電子社會,更方便、更舒適,通過開發(fā)水晶設(shè)備對全球環(huán)境友好.
     基于我們的座右銘“高質(zhì)量的進(jìn)口石英晶體產(chǎn)品,合理的價格,準(zhǔn)時交貨,“我們建立了一種高效的生產(chǎn)系統(tǒng),以確保穩(wěn)定供應(yīng)水晶設(shè)備,同時保持高質(zhì)量.大真空的綜合生產(chǎn)系統(tǒng),從開發(fā)、切割和拋光的合成石英無源晶體成品——使我們能夠迅速滿足全球客戶的需求.我們將繼續(xù)支持下一代技術(shù)作為主要石英設(shè)備制造市場提供高滿意度的質(zhì)量、成本和交付.


     DSX211G陶瓷貼片晶體,KDS晶振,1ZZCAA26000AB0A晶振，大真空KDS晶振針對進(jìn)口石英SMD晶振產(chǎn)品中所含的以鉛為首的六價鉻、汞、鎘、PBB、PBD等RoHS指令（Directive of the Restriction of use of the Hazardous Substances）及車載相關(guān)管制的ELV（End of Life Vehicles Directive）中列明的管制物質(zhì)、以及阻燃劑中 使用的鹵素化合物,積極開展削減工作,并準(zhǔn)備了RoHS/ELV指令對應(yīng)產(chǎn)品、無鹵產(chǎn)品以及無鉛產(chǎn)品.
社會責(zé)任
    大真空組有助于創(chuàng)建一個通過環(huán)境保護活動逐步發(fā)展中社會與環(huán)境的和諧.
遵守法律和監(jiān)管要求
    大真空觀察法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).

＜石英晶體諧振器＞
   如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器,進(jìn)口音叉晶體外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用.
   讓諧振器振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值.本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍 以上.
＜晶體振蕩器＞
   晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮.DSX211G陶瓷貼片晶體,KDS晶振,1ZZCAA26000AB0A晶振.
   有些晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接.使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接.關(guān)于個別機型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書.
   注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近.
   如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時需要配置調(diào)諧電路.
   如果過大的激勵電力對無源諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請在晶體濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用.

1.技術(shù)支持                                                                        2.客服咨詢                            
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