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產(chǎn)品系列

首頁(yè)進(jìn)口晶振有源晶振,愛(ài)普生晶振,SG-310晶振,貼片晶振,SG-310SCF 25.0000MB3

    有源晶振,愛(ài)普生晶振,SG-310晶振,貼片晶振,SG-310SCF 25.0000MB3

  • 編號:18481732
  • 頻率:2.0M~80MHz
  • 尺寸:3.2*2.5mm詳情瀏覽PDF文檔
  • RoHS
  • RoHS2
SPXO晶體振蕩器,SG-310晶體,"SG-310SCF 25.0000MB3"有源晶振,頻率范圍:2MHz~ 80MHz.電源電壓:1.8V/2.5V/3.3V.電流消耗:1.5mA Typ.(SEF 1.8V 無(wú)負載條件 48MHz).功能:待機().外部尺寸規格:3.2x 2.5x1.05mm


      SPXO晶體振蕩器,SG-310晶體,有源晶振."SG-310SCF 25.0000MB3",小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著(zhù)翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5 V,高穩定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應用領(lǐng)域:無(wú)線(xiàn)通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

EPSON項目 符號 規格說(shuō)明 條件
SG-310 SEF SG-310 SDF SG-310 SCF SG-310 SDN SG-310 SCN
輸出
頻率范圍
f0 2.000MHz ~ 48.000MHz 3.000MHz ~ 80.000MHz  
電源電壓 VCC 1.8V Typ.
1.6V ~ 2.2V
2.5V Typ.
2.2V ~ 3.0V
3.3V Typ.
2.7V ~ 3.6V
2.5V Typ.
2.2V ~ 2.7V
3.3V Typ.
2.7V ~ 3.6V
 
儲存溫度 T_stg -40°C ~ +125°C 裸存
工作溫度 T_use -40°C ~ +85°C  
頻率穩定度 f_tol B: ±50 × 10-6, C: ±100 × 10-6 -20°C ~ +70°C
L: ±50 × 10-6, M: ±100 × 10-6 -40°C ~ +85°C
- D:±20 × 10-6 ,
S:±25 × 10-6
-20°C ~ +70°C
- R:±25 × 10-6 -30°C ~ +85°C
- P:±20 × 10-6 -30°C ~ +85°C
- J:±25 × 10-6 -40°C ~ +85°C
功耗 ICC 1.5mA Max. 1.5mA Max. 1.5mA Max. 4.0mA Max. 5.0mA Max. 無(wú)負載條件,
2MHz ≤ f0 ≤ 4MHz
1.5mA Max. 1.5mA Max. 2.0mA Max. 無(wú)負載條件,
4MHz < f0 ≤ 8MHz
1.5mA Max. 2.0mA Max. 2.5mA Max. 無(wú)負載條件,
8MHz < f0 ≤ 16MHz
2.0mA Max. 2.0mA Max. 2.5mA Max. 無(wú)負載條件,
16MHz < f0 ≤ 25MHz
2.0mA Max. 2.5mA Max. 3.5mA Max. 無(wú)負載條件,
25MHz < f0 ≤ 33MHz
3.0mA Max. 3.5mA Max. 4.5mA Max. 無(wú)負載條件,
33MHz < f0 ≤ 48MHz
- 6.0mA Max. 7.0mA Max. 無(wú)負載條件,
48MHz < 
f0 ≤ 80MHz
待機電流 I_std 0.7μA Max.
(0.2μA Typ.)
1.5μA Max.
(0.5μA Typ.)
2.0μA Max.
(1.0μA Typ.)
10µA Max. ST=GND
占空比 SYM 45% ~ 55% 45% ~ 55% 45% ~ 55% 45% ~ 55% 2MHz ≤ f0 ≤ 16MHz 50% VCC
L_CMOS ≤ 15pF
40% ~ 60% 16MHz < f0 ≤ 40MHz
40% ~ 60% 40MHz < f0 ≤ 80MHz
輸出電壓 VOH 90% VCC Min. IOH=-3mA
VOL 10% VCC Max. IOL=3mA
輸出
負載條件
CMOS
L_CMOS 15pF Max.  
輸入電壓 VIH 80% VCC Min. 70% VCC Min. ST終端
VIL 20% VCC Max. 30% VCC Max.
上升/
下降時(shí)間
tr / tf 4ns Max. 20% VCC ~ 80% VCC極,
L_CMOS=15pF
振蕩啟動(dòng)
時(shí)間
t_str 10ms Max. 2ms Max. 在90% VCC 時(shí),所需時(shí)間為0秒
頻率老化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. ±3 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年,
VCC=1.8V, 2.5V, 3.3V
- ±10 × 10-6 Max. +25°C,10年



    "SG-310SCF 25.0000MB3", 石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態(tài)下, 其電偶極是互相平衡的電中性. 在(圖二左)的二氧化硅是以二維空間的簡(jiǎn)化圖形. 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予正電場(chǎng)及負電場(chǎng)時(shí), 空間系統為了維持電位平衡, 兩個(gè)氧原子會(huì )相互排斥, 在氧原子下方形成一個(gè)感應正電場(chǎng)區域, 同時(shí)在硅原子上方產(chǎn)生感應負電場(chǎng)區域. 相反的情況, 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予負電場(chǎng)及正電場(chǎng)時(shí), 兩個(gè)氧原子會(huì )相互靠近, 氧原子下方產(chǎn)生感應負電場(chǎng),硅原子上方產(chǎn)生感應正電場(chǎng). (圖二). 然而, 氧原子的水平位置變化時(shí), 鄰近的另一個(gè)氧原子會(huì )相對的產(chǎn)生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原來(lái)的空間位置. 因此, 電場(chǎng)的力量與原子之間的力量會(huì )相互牽動(dòng), 電場(chǎng)的改變與水平方向的形變是形成交互作用狀態(tài). 這個(gè)交互作用會(huì )形成一個(gè)在石英材料耗能最小的振動(dòng)狀態(tài), 祇要由電場(chǎng)持續給與能量, 石英材料就會(huì )與電場(chǎng)之間維持一個(gè)共振的頻率. 這個(gè)壓電效應下氧原子的振幅與電場(chǎng)強度及電場(chǎng)對二氧化硅的向量角度有相對應的關(guān)系.在實(shí)際的應用上, 電場(chǎng)是由鍍在石英芯片上的金屬電極產(chǎn)生, 電場(chǎng)與二氧化硅的向量角度則是由石英晶棒的切割角度來(lái)決定.


   "SG-310SCF 25.0000MB3",愛(ài)普生株式會(huì )社承諾所有的運作皆遵守本地國家的法律,并符合國際上所共同認知環(huán)保與社會(huì )責任的標準,執行各項環(huán)境及職業(yè)安全衛生管理工作;落 實(shí)公司環(huán)安衛政策要求使環(huán)境暨安全衛生管理成效日益顯著(zhù),不僅符合國內環(huán)保、勞安法令要求,同時(shí)也能達到國際環(huán)保、安全衛生標準. 
    我們將持續關(guān)注企業(yè)社會(huì )責任各項新議題,使本公司更加完整并落實(shí)企業(yè)社會(huì )責任所有面向. 
    對內,我們將透過(guò)各種教育訓練與活動(dòng),用心創(chuàng )造一個(gè)多元且充滿(mǎn)活力的工作環(huán)境 (例如健康促進(jìn)活動(dòng)); 
    對外,本公司透過(guò)與利害相關(guān)團體間的溝通,積極落實(shí)企業(yè)社會(huì )責任活動(dòng),持續投入社會(huì )公益,降低對社會(huì )環(huán)境之沖擊. 
1.技術(shù)支持                                                                        2.客服咨詢(xún)                            
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